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ULN2003AIDR库存信息

更新时间:2020-02-28 10:10:00
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ULN2003AIDR中文资料

功能描述:达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2003AIDR PDF资料

型号: ULN2003AIDR 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Texas Instruments Incorporated 原厂简称: TI
页数: 14 文件大小: 296 /kb
说明: HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY